Samsung-მა ოფიციალურად წარადგინა 8GB LPDDR5 DRAM ჩიპი სმარტფონებისთვის. კომპანიის თქმით, ეს არის პირველი 8 GB LPDDR5 ჩიპი, რომელიც დამზადებულია ტექნოლოგიით, რომელიც ეტიკეტირებულია როგორც 10 ნმ კლასი, რომელიც შეიძლება იყოს 10-დან 19 ნმ-მდე. წინამორბედი, ანუ 8 GB LPDDR4 ჩიპი უკვე წარმოებული იყო 2014 წელს, ამიტომ სამხრეთ კორეის გიგანტის ინოვაციამდე მხოლოდ დროის საკითხი იყო.
Samsung აცხადებს, რომ LPDDR5 იპოვის აპლიკაციას ძირითადად 5G, საავტომობილო და მობილური მოწყობილობების სფეროებში, რომლებიც იყენებენ ხელოვნურ ინტელექტს. 6 Mbps გადაცემის სიჩქარით, 400GB LPDDR8 DRAM ჩიპი 5-ჯერ უფრო სწრაფია, ვიდრე მობილური DRAM ჩიპები, რომლებიც გამოიყენება მიმდინარე ფლაგმანებში. Galaxy S9-ს აქვს LPDDR4X ჩიპი, რომლის მონაცემთა სიჩქარეა 4 Mbps. LPDDR266-ს შეუძლია წამში 5 GB მონაცემების გაგზავნა, რაც დაახლოებით 51,2 HD ვიდეო ფაილია.
Samsung შემოგთავაზებთ როგორც ვერსიას სრული გამტარუნარიანობით 1,1 ვ-ზე, ასევე უფრო სუსტ და ეკონომიურ 5 მბ/წმ 500 V-ზე. LPDDR1,05 ასევე გთავაზობთ ღრმა ძილის რეჟიმს (ღრმა ძილის), რაც დაახლოებით გაანახევრებს მიმდინარე LPDDR4X DRAM-ების ენერგიის მოხმარებას. Samsung-ის მტკიცებით, ახალი ჩიპით მას შეუძლია ენერგიის მოხმარება 30%-მდე შეამციროს და ამით გაზარდოს სმარტფონების ბატარეების სიცოცხლე.
ალბათ ჩიპი მაინც u Galaxy Note9 არ გამოჩნდება, მაგრამ სავარაუდოდ მომავალ წელს მიიღებს Galaxy S10.
